Нанесение покрытия «БИУРС»

1. Старое изоляционное покрытие (обертка, пленка) должно быть удалено с поверхности трубы механизированным или ручным способом. До нанесения покрытия на наружной поверхности выявляются задиры, острые выступы, заусеницы, наплавленные капли металла, шлака и другие поверхностные дефекты.

Обнаруженные дефекты устраняются шлифовкой, если это допускается техническими условиями на защищаемое изделие. После завершения очистки проводится контроль защищаемой поверхности на наличие коррозионных повреждений и оценка возможности дальнейшей эксплуатации защищаемого участка.

2. Обработка поверхности состоит в удалении продуктов коррозии и придания необходимой шероховатости методом пескоструйной (дробеструйной) обработки поверхности:

• в случае полевого нанесения - 2 по ГОСТ 9.402 или St 3 по стандарту ИСО 8501-1 с шероховатостью поверхности Rz = 30 -100 мкм
• в случае заводского (базового) нанесения - 1 по ГОСТ 9.402 или Sa 2 по стандарту ИСО 8501-1  с шероховатостью поверхности Rz = 60-150 мкм

3. Перед нанесением покрытия с поверхности удаляются продукты очистки – металлическая пыль, частицы ржавчины, продукты разрушения абразива. После этого поверхность должна быть обезжирена растворителем.

Допустимо применять ацетон или толуол, используемые при промывке аппаратов высокого давления. Возможна обработка ветошью, смоченной в ацетоне. Поверхность металла изделий не должна иметь масляных, жировых и других загрязнений.

4. Грунтовка имеет эпоксидную основу. Состоит из двух компонентов – основы и отвердителя. Перед употреблением оба компонента тщательно перемешиваются миксером.

Нанесение грунта осуществляется как вручную (кисть, валик и т.п.), так и механизировано - с помощью установок безвоздушного напыления  при температуре окружающего воздуха от  +5°С  до + 50°С . Грунтовка наносится в два прохода  с промежуточной выдержкой между проходами до 20÷30 мин. Давление при распылении 4,5 бар.

5. Толщина слоя грунтовки в каждом проходе должна составлять 50±10 мкм (эта толщина слоя характерна слабым просвечиванием металла через грунтовку).

Толщина каждого слоя и общая толщина контролируется инструментально. Суммарная толщина слоя грунтовки должна быть 100±30 мкм.

Время сушки слоя праймера – от 40 минут до 8-х часов (в зависимости от условий).

6. Полиуретановая  мастика   наносится только на грунтовку и функционально является защитой слоя праймера от механических повреждений при работе с защищаемым объектом (вскрытие и засыпка грунтом, установка, перемещение). Основа мастики - модифицированный полиуретан. Нанесение защитной мастики осуществляется методом горячего безвоздушного напыления аппаратами с раздельной подачей компонентов.

Температура компонентов 65°С. Давление при распылении 105 бар. Время полимеризации слоя мастики – 10-16 секунд.

7. Толщина покрытия защитной мастики «БИУР» определена требованиями ГОСТ Р 51164-98 и составляет 2,0-4,0 мм, в зависимости от вида объекта. Толщина слоя контролируется инструментально при каждом нанесении. При необходимости наносится дополнительный слой мастики.

После набора прочности покрытие тестируется на электрическую сплошность электроискровым способом с напряжением пробоя не менее 5 кВ/мм толщины покрытия. Через 72 часа проводится определение адгезии покрытия к стали на образцах-свидетелях методом нормального отрыва. 

8. В случае успешного прохождения тестов изоляция объекта признается соответствующей требованиям нормативной документации, а покрытие - годным для эксплуатации. Изолированное изделие готово к транспортировке, складированию, монтажу или засыпке грунтом.

После завершения полного цикла работ по нанесению изолированное изделие должно быть выдержано не менее 24-х часов при  температуре 20°С и выше, не менее 3-х суток при температуре 15°С  и не менее 7 суток при температуре 10°С для набора прочности и последующего восприятия транспортных нагрузок.

В случае выдержки готовых изолированных изделий при температуре воздуха ниже +10°С готовность изделия к транспортировке определяется на основании замеров адгезии и ее соответствия нормативным значениям действующих ТУ;